LBIC QUANTITATIVE MAPPING

Résumé
La méthode EBIC, qui consiste à générer des porteurs excédentaires dans le matériau par un faisceau d'électrons et à exploiter les informations contenues dans le courant induit, peut être transposée en utilisant un faisceau de lumière ce qui conduit aux méthodes LBIC. Dans ce papier on donne une revue des paramètres physiques qui peuvent ainsi être étudiés. Comme en microscopie électronique à balayage, des images peuvent être réalisées permettant de mettre en évidence des défauts électriquement actifs dans les dispositifs électroniques. Pour une analyse et une imagerie quantitatives des défauts, les principaux modèles théoriques sont présentés et discutés. On décrit les différentes réalisations en analysant les limitations de la méthode. Des exemples d'applications sont donnés pour des cellules solaires et des transistors de puissance. On examine aussi les moyens d'études des matériaux sans structure de collecte.

Abstract
The method of electron beam induced current (EBIC) characterization has been widely used. However, many of experiments possible with the EBIC mode can be performed using a light-beam as an excitation source. The aim of this paper is to give a review of the physical parameters that may be obtained using the light-beam induced current (LBIC) method. Theoretical models involved for quantitative interpretation of LBIC signal and some typical applications are reviewed. The conditions to obtain quantitative mapping are discussed. Some examples including Schottky barriers, solar cells and bipolar transistor are given.