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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-207 - C4-215 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983425 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-207-C4-215
DOI: 10.1051/jphyscol:1983425
Akademie der Wissenschaften der D.D.R., Institut für Festkörperphysik und Elektronenmikroskopie, D.D.R.-4020 Halle/Saale, Weinberg 2, D.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-207-C4-215
DOI: 10.1051/jphyscol:1983425
COMBINED ELECTRON MICROSCOPICAL AND DLTS (ESP, DSLTS) INVESTIGATIONS IN SEMICONDUCTORS
O. Breitenstein et J. HeydenreichAkademie der Wissenschaften der D.D.R., Institut für Festkörperphysik und Elektronenmikroskopie, D.D.R.-4020 Halle/Saale, Weinberg 2, D.R.G.
Résumé
Un système DLTS à balayage, mesurant la capacité, est introduit. Il est caractérisé par une grande sensibilité de détection. Des exemples de mesures (silicium, composés III - V) dans lesquelles DLTS et SEM/EBIC sont combinées, démontrent la fonction et les possibilités du système.
Abstract
A capacitively measuring Scanning DLTS system is introduced having a high detection sensitivity. Measuring examples achieved by combined application of SDLTS and SEM/EBIC on silicon and III-V compound samples demonstrate the possibilities of the method and the performance of the system.