| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-405 - C4-408 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988485 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-405-C4-408
DOI: 10.1051/jphyscol:1988485
1 Siemens AG, Corporate Research and Development, Microelectronics, D-8000 München 83, F.R.G.
2 GeMeTec, D-8000 München 60, F.R.G.
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-405-C4-408
DOI: 10.1051/jphyscol:1988485
INFLUENCE OF THE FABRICATION CONDITIONS ON THE p+-TaSi2/POLY-Si GATE QUALITY
C. MAZURE1, U. SCHWALKE1, F. NEPPL1, P. EICHINGER2 et M. METZGER21 Siemens AG, Corporate Research and Development, Microelectronics, D-8000 München 83, F.R.G.
2 GeMeTec, D-8000 München 60, F.R.G.
Résumé
L'effet des différentes étapes de fabrication du poly-siliciure sur la qualité resultante du dopage p+ de la grille est examiné. En particulier on étudie la diffusion de bore en correlation avec la contamination en oxigène. Le rôle de l'interface TaSi2/poly-Si et de l'atmosphere de recuit sur la redistribution du bore est montré.
Abstract
The effect of different polycide fabrication steps on the resulting p+ gate quality is investigated. In particular the boron diffusion is studied in correlation with the oxygen contamination. The role of the quality of the TaSi2/poly-Si interface and of the annealing atmosphere on the boron redistribution are pointed out