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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-409 - C4-412 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988486 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-409-C4-412
DOI: 10.1051/jphyscol:1988486
EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE ON PLASMA GROWN ALUMINUM OXIDE FILMS
C. BOURREAU et Y. CATHERINELaboratoire des Plasmas et des Couches Minces, CNRS-UA 838, Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Nantes, 2, rue de la Houssinière, F-44072 Nantes Cedex 03, France
Résumé
Les propriétés physiques et électriques de couches minces d'oxyde d'aluminium déposées par plasma (13,56 MHz) à partir de triméthylaluminium sur du silicium sont fortement dépendantes de la température à laquelle est effectuée cette croissance. On montre que les couches se densifient lorsque la température de dépôt passe de l'ambiante à 300°C. La caractérisation par la méthode C(V) des structures MOS fait apparaître une dispersion des résultats. Toutefois, un recuit dans Ar + O2 à 350°C et pendant une heure apporte une amélioration sensible des caractéristiques de ces films (diminution de la tension de bande plate et de l'hystérésis).
Abstract
The physical and electrical properties of aluminum oxide films deposited from aluminumtrimethyl under plasma conditions have been studied as a function of the silicon substrate temperature. It is shown that an increase of the temperature enhances the oxidation reaction and gives dense films. The C(V) characterization of MOS structures shows a large scattering in the results. However higher temperature (up to 300°C) gives lower flat band voltage, lower hysteresis which indicates a lowering of the free charges in the oxide.