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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-249 - C4-252 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988451 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-249-C4-252
DOI: 10.1051/jphyscol:1988451
NOVEL CALCULATIONS IN THE FIELD OF ACCURATE ANALYTICAL MOS TRANSISTOR MODELLING
L. LAUWERS1 et K. DE MEYER21 IMEC, Kapeldreef 75, B-3030 Leuven, Belgium
2 Professor at the Katholieke Universiteit Leuven and Research Associate of the Belgian National Found for Scientific Research.
Résumé
Des calculs analytiques détaillées, à partir de quelques modèles physiques de base, prouvent que le courant dans un transistor à canal court peut être précisément déterminé, sans que le nombre de paramètres empiriques augmente. En plus, il est démontré que quelques unes des approximations, sur lesquelles beaucoup de modèles actuels sont basés, sont incorrectes, et que les adaptations reliées manquent de base physique.
Abstract
Extended analytical calculations, starting from basic physical models with only few assumptions made, prove that the drain-source current for a wide range of MOS transistor geometry, can be accurately determined using one single model, without enlarging the number of empirical parameters. Furthermore, it is proven, that some of the assumptions, on which lots of actual models rely, are incorrect, and the related empirical improvements commonly in use lack physical background.