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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-127 - C5-130 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987523 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-127-C5-130
DOI: 10.1051/jphyscol:1987523
INTERFACE RELATED EMISSION FROM AN MBE-GROWN (Al, Ga) As HETEROSTRUCTURE
L.W. MOLENKAMP1, G.W. 't HOOFT1, W.A.J.A. van der POEL1 et C.T. FOXON21 Philips Research Laboratories, NL-5600 JA Eindhoven, The Netherlands
2 Philips Research Laboratories, GB-Redhill RH1 5HA, Surrey, Great-Britain
Résumé
On rapporte l'observation d'un nouveau détail spectral dans la luminescence d'une hétérostructure ultrapure de GaAs-Al0.33Ga0.67As crue par EJM. Cette émission, centrée à 1,510 eV, disparaît en dissolvant la couche supérieure de Al0.33Ga0.67As. Ceci indique un rôle important de l'hétérointerface dans la mécanisme de recombination qui cause ce détail nouveau. De ce point de vue, on discute l'effet de quelques paramètres expérimentaux aux propriétés luminescantes.
Abstract
We report the observation of a novel feature in the luminescence of an ultra-pure MBE-grown GaAs-Al0.33Ga0.67As heterostructure. This emission, centered at 1.510 eV, disappears on removing the top cladding Al0.33Ga0.67As layer, pointing to an important role of the heterointerface in the recombination mechanism leading to this novel band. From this perspective, we discuss the effect of several experimental parameters on the luminescent properties.