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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-359 - C4-362 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983443 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-359-C4-362
DOI: 10.1051/jphyscol:1983443
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32, 02-668 Warsaw, Poland
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-359-C4-362
DOI: 10.1051/jphyscol:1983443
HYDROGENATION STUDIES OF DEFORMED n-Si
B. PohorylesInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32, 02-668 Warsaw, Poland
Résumé
Nous présentons de nouveaux résultats sur l'hydrogénation du silicium de type n déformé. Nous montrons que la profondeur de passivation par l'hydrogène est plus grande que 10 µm.
Abstract
New results on hydrogenation of dislocated n-Si are presented. Hydrogen passivation depth was found to be more than 10 µm.