| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-305 - C4-311 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983436 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-305-C4-311
DOI: 10.1051/jphyscol:1983436
1 Istituto di Fisica, Università di Bologna, Unità G.N.S.M. del C.N.R., Italy
2 Istituto di Metallurgia, Università di Roma, Istituto di Fisica, Università di Bologna, Unità G.N.S.M. del C.N.R., Italy
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-305-C4-311
DOI: 10.1051/jphyscol:1983436
LATTICE DEFECT EFFECTS IN INDUCED CURRENT SCANNING MICROSCOPY
A. Castaldini1, A. Cavallini1 et P. Gondi21 Istituto di Fisica, Università di Bologna, Unità G.N.S.M. del C.N.R., Italy
2 Istituto di Metallurgia, Università di Roma, Istituto di Fisica, Università di Bologna, Unità G.N.S.M. del C.N.R., Italy
Résumé
On considère, dans les semiconducteurs élémentaires, les caractéristiques des images EBIC et IRBIC et des effets électriques en relation avec les défauts ponctuels et les dislocations introduites par déformation.
Abstract
Characteristics of EBIC and IRBIC images as well as electrical effects are considered on their dependence on both point defects and dislocations introduced by deformation in elemental semiconductors.