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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-365 - C4-373 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983444 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-365-C4-373
DOI: 10.1051/jphyscol:1983444
THE PLASTICITY OF A SEMICONDUCTING COMPOUND : CdTe, ELECTRICAL MEASUREMENT AND CHEMOMECHANICAL EFFECT
P. Haasen1, H. Müller1 et G. Zoth21 Institut für Metallphysik, Universität Göttingen, F.R.G.
2 IV. Physikalisches Institut and SFB 126, Universität Göttingen, F.R.G.
Résumé
Des cristaux de CdTe ont été obtenus au laboratoire de cristallogénèse de Göttingen (Kristall-Labor), et caractérisés par des mesures d'effet Hall et thermoélectriques. Les dislocations ont été révélées par piqûres d'attaque avant et après indentation réalisée dans différents électrolytes polarisés par rapport à l'échantillon. L'analyse de l'activation thermique semble indiquer qu'un mécanisme de Peierls gouverne la contrainte d'écoulement à la température ambiante et à plus basse température. Aux dislocations introduites par compression est associé un niveau neutre situé à 0,3 eV au-dessus de la bande de valence (selon les mesures d'effet Hall et thermoélectrique). Dans ce matériau la mobilité des dislocations est plus petite dans les conditions de bande plate qu'avec une charge induite sur les défauts dans la couche superficielle du matériau.
Abstract
CdTe has been grown in the Göttingen Kristall-Labor and characterized by Hall effect and thermoelectrical measurements. Dislocations are etch pitted before and after deformation by an hardness indenter. The experiment is performed in various electrolytes while a voltage is applied with respect to the specimen. Thermal activation analysis seems to indicate that a Peierls mechanism determines the flow stress at and below room temperature. The dislocations introduced by compression of p-CdTe give rise to states which are neutral at 0.3 eV above Ev in the Hall effect and thermoelectrical power. Dislocation mobility in this material is smaller under flat band conditions than with an induced charge at defects in the surface layer of this material.