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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-297 - C4-304 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983435 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-297-C4-304
DOI: 10.1051/jphyscol:1983435
DEFECTS IN CADMIUM TELLURIDE AS STUDIED BY SEM/EBIC
B. Sieber1 et M. Dupuy21 L.P.M. - C.N.R.S., 1, place A. Briand, 92190 Meudon, France
2 L.E.T.I./C.R.M., B.P. 85 X, 38041 Grenoble, France
Résumé
Nous avons utilisé la méthode du courant induit dans le microscope à balayage (MEB/EBIC) pour caracteriser les défauts électriquement actifs dans le tellurure de cadmium non dopé recuit, de tyne n. Pour cela nous avons fait, sur une diode de Schottky Au/CdTe, des mesures quantitatives de contraste et de resolution en fonction de la tension d'accélération sur les défauts observés. Cela permet de connaitre leur profondeur, et d'avoir des informations sur leur structure.
Abstract
The induced current method, performed in a scanning electron microscope (SEM/EBIC), has been used to characterize the electrically active defects in undoped n type, annealed cadmium telluride. For that purpose, quantitative measurements, on a Au/ CdTe Schottky diode, have been made of the contrast and resolution behaviour as a function of the beam voltage. This allows to assess the depth of the defects, and to get information about their structure.