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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-27 - C1-31 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982105 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-27-C1-31
DOI: 10.1051/jphyscol:1982105
1 Equipe Physique du Solide
2 Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique du Solide, LA 251, ISMRA, Université de Caen, 14032 Caen Cedex, France
3 Equipe Matériaux-Microstructure
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-27-C1-31
DOI: 10.1051/jphyscol:1982105
ANALYSE EBIC DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN
P. Ruterana1, 2, A. Bary3, 2 et G. Nouet3, 21 Equipe Physique du Solide
2 Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique du Solide, LA 251, ISMRA, Université de Caen, 14032 Caen Cedex, France
3 Equipe Matériaux-Microstructure
Résumé
Du silicium polycristallin est examiné au TEM pour la caractérisation cristallographique des joints et au SEM en mode EBIC pour la détermination de leur activité électrique. Les plans de macle cohérents sont trouvés être électriquement inactifs à la différence des autres joints qui sont constitués par de petites facettes ou décorés par des précipités.
Abstract
Grain boundaries in polycristallinesilicium have been studied using EBIC, SEM and TEM. The reduction of the electrical properties is due to the presence of defects in the grain boundaries structure. These defects, dislocations or facets, are evidently associated with segregated atoms.