| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-165 - C4-168 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988433 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-165-C4-168
DOI: 10.1051/jphyscol:1988433
Centre d'Electronique de Montpellier, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, F-34060 Montpellier Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-165-C4-168
DOI: 10.1051/jphyscol:1988433
NOISE AND DIFFUSION IN p-TYPE SILICON
J.P. NOUGIER, A. MOATADID et J.C. VAISSIERECentre d'Electronique de Montpellier, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, F-34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
La théorie des fluctuations de la fonction d'occupation d'états, développée très récemment, et la notion de temps de relaxation différentiel, permettent de donner ici l'expression du coefficient de diffusion transversal, qui est calculé numériquement dans si-p en fonction du champ électrique à 300 K entre 0 et 50 kV/cm.
Abstract
The theory of the fluctuations of the state occupancy function, recently developped, together with the differential relaxation time, allow getting the transverse diffusion coefficient, which is computed in p-type Silicon, as a function of the electric field, at 300 K, from 0 to 50 kV/cm.