| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-255 - C4-259 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983430 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-255-C4-259
DOI: 10.1051/jphyscol:1983430
THE EFFECT OF HYDROGEN ON DISLOCATION PHOTOLUMINESCENCE IN SILICON
Yu. A. Ossipyan, A. M. Rtishchev et E. A. SteinmanInstitute of Solid State Physics of the U.S.S.R. Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, U.S.S.R.
Résumé
On a étudié l'influence des conditions de déformation plastique sur 1'intensité de différentes lignes des spectres de luminescence du silicium produites par les dislocations. Par comparaison avec les résultats des signaux de résonance de spin, on montre que la partie courte longueur d'onde du spectre est liée aux dislocations fraiches, tandis que la partie grande longueur d'onde correspond à des transitions électriques mettant en jeu des dislocations ou bien reconstruites ou bien décorées. On discute dans le cadre de ce modèle le changement du spectre de luminescence par hydrogénation.
Abstract
The influance of deformation conditions on intensity different lines of dislocation luminescence spectra in silicon has been discovered. Comparison of these data with the results on the annealing ESR signal showes that short wavelength part of the spectrum is connected with fresh dislocations , while long wavelength part is corresponded to electron transitions with participation of either reconstructed or decorated dislocations. In this model the change of luminescence spectrum under hydrogenation is discussed.