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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-243 - C4-253 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983429 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-243-C4-253
DOI: 10.1051/jphyscol:1983429
PLASTIC DEFORMATION OF SILICON AT LOW TEMPERATURE AND THE INFLUENCE OF DOPING
J. Rabier, P. Veyssière et J.L. DemenetLaboratoire de Métallurgie Physique, L.A. 131 au C.N.R.S., Faculté des Sciences, 86022 Poitiers, France
Résumé
Des essais de déformation plastique ont été effectués à basse température (T[MATH]450°C) sous pression de confinement pour obtenir un glissement des dislocations à des températures où le silicium est habituellement fragile. Un mécanisme de déformation plastique par dislocations partielle à été mis en évidence ainsi que l'influence du dopage sur la déformation plastique macroscopique. Le désaccord entre le comportement plastiques sous pression de confinement et des essais conventionnels réalisés dans le domaine des températures moyennes (400°C [MATH]T[MATH] 650°C) est discuté.
Abstract
Plastic deformation tests have been performed at low temperature (T[MATH]450°C) under a confining pressure in order to promote dislocation motion at temperature where samples are usually brittle . A mechanism for plastic deformation by partial dislocations has been evidenced as well as the influence of dopants on the macroscopic plastic deformation. Discrepancies between low temperature plastic deformation under confining pressure and conventional compressive tests conducted in the range of medium temperatures (400°C[MATH]T[MATH]650°C) are discussed.