INTRINSIC OR EXTRINSIC ORIGIN OF THE RECOMBINATION AT EXTENDED DEFECTS

Résumé
Cet article résume les principaux résultats obtenus par les techniques EBIC et Cathodoluminescence (CL) sur l'origine de la recombinaison des porteurs de charge aux dislocations dans le silicium et les semiconducteurs composés, ainsi qu'aux joints de grain symétriques dans le silicium. Pour ces deux types de défauts seront présentées des expériences qualitatives reliant l'activité électrique du défaut avec sa structure et la présence de précipités. Quelques expériences quantitatives de contraste sur les dislocations, analysées théoriquement, ont également permis de déduire l'origine de la recombinaison. Celle ci n'est toujours pas établie de façon certaine pour les dislocations, alors que sa nature extrinsèque semble dorénavant incontestable pour les joints de grain.

Abstract
This paper reviews the major EBIC and CL experiments on dislocations in silicon and compound semiconductors and on symmetric grain-boundaries in silicon, from which the origin of the minority carrier recombination could be inferred. Qualitative experiments were often combined with transmission electron microscopy in order to correlate the defect electrical activity with its structure and with the presence of precipitates. Quantitative contrast experiments were sometimes theoretically analysed to deduce the nature of the recombination. The conclusions are not still well-established for dislocations, whereas the extrinsic origin of the recombination at symmetric grain-boundaries in silicon has been already ascertained.