MODELING THE EBIC MEASUREMENTS OF DIFFUSION LENGTHS AND THE RECOMBINATION CONTRAST AT EXTENDED DEFECTS

Résumé
Une description alternative, basée sur le concept de probabilité de collecte, est proposée pour l'interprétation d'expériences typiques réalisées par la technique du courant induit par faisceau d'électrons (EBIC) associée au microscope électronique à balayage. On montre que la distribution φ (r) de cette probabilité dans l'échantillon obéit à une équation de diffusion homogène et que le courant induit résulte de l'excitation des propriétés de l'échantillon par la fonction de génération du faisceau électronique. L'objectif des expériences EBIC est de déterminer les paramètres essentiels caractérisant le semiconducteur ou le défaut, dont φ dépend. Différentes méthodes d'accès à cette information sont discutées et quelques nouvelles possibilités sont présentées.

Abstract
An alternative description is proposed of typical experiments that are performed with the electron beam induced current (EBIC) technique of the scanning electron microscope, on the basis of the notion of charge-collection probability. It is shown that the distribution φ (r) of this probability in the specimen obeys a homogeneous diffusion equation, and the induced current results from probing this sample property with the generation function of the electron beam. EBIC experiments aim at determining the essential semiconductor or defect parameters upon which φ is dependent. Different methods of recovering this information are discussed and some new possibilities are presented.