Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
Page(s) C4-431 - C4-436
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988491
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-431-C4-436

DOI: 10.1051/jphyscol:1988491

CONTROL OF THE FABRICATION STEPS OF InP MIS TRANSISTORS BY MEANS OF SCANNING PHOTOLUMINESCENCE MEASUREMENTS

B. COMMERE1, M. GARRIGUES1, S.K. KRAWCZYK1, C. LALLEMAND1, K. SCHOHE1 et B. CANUT2

1  Laboratoire d'Electronique, CNRS-UA 848, Ecole Centrale de Lyon, 36, Av. Guy de Collongue, F-69131 Ecully Cedex, France
2  Dept. de Physique des Matériaux, Université Claude Bernard Lyon I, 43, Bd du 11 Novembre, F-69622 Villeurbanne Cedex, France


Résumé
Nous montrons l'efficacité de l'imagerie de photoluminescence à suivre la qualité, l'homogénéité et la reproductibilité d'un échantillon dans la réalisation des transistors MIS sur InP, du substrat de départ et après chaque étape technologique. Grâce à l'utilisation de cette technique nondestructive, rapide, et n'exigeant pas de contacts avec la surface de l'échantillon, nous avons obtenu une amélioration considérable des dispositifs élaborés.


Abstract
We show the efficiency of scanning photoluminescence measurements for monitoring the quality, homogeneity and reproducibility of the starting wafers and processed substrates after each technological step during the realization of InP MIS transistors. Owing to this new technique, which is noninvasive, contactless and fast, we have obtained a considerable improvement of the fabricated devices.