Mg⁺/O⁺ ION IMPLANTATION IN GaAs/GaAlAs HETEROSTRUCTURES

Résumé
Des implantations de Mg⁺ et O⁺ ont été réalisées dans des hétérostructures GaAs/GaAlAs pour des applications de transistors bipolaires, le but de ces implantations étant de rendre la couche de collecteur fortement résistive (avec l'O) et de contacter la couche de base (avec le Mg). L'activation du Mg a été réalisée par des recuits rapides jusqu'à 900°C. Nous montrons que les conditions permettant d'obtenir une compensation par l'oxygène sont très dépendantes du matériau. De plus, pour des faibles doses d'oxygène nous avons noté une évolution dans le temps de la compensation. Enfin, nous détaillons l'intéraction entre Mg et Be (dopant de la base).

Abstract
Mg⁺ and O⁺ ion implantations have been performed in GaAs/GaAlAs heterostructures for bipolar transistor applications in order to form an isolation layer in the collector region (with O) and to contact the base layer (with Mg). Rapid thermal annealing with peak temperature up to 900°C has been employed to activate Mg. We show that the conditions to obtain compensation by oxygen are strongly dependant on the starting material. Moreover for low oxygen doses we have noted an evolution of the compensation with time. Finally we discuss the interaction between Mg and Be (dopant of the base).