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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-427 - C4-430 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988490 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-427-C4-430
DOI: 10.1051/jphyscol:1988490
DIFFUSION BARRIER LAYERS FOR OHMIC CONTACTS TO GaAs
D.A. ALLAN1, J. HERNIMAN1, M.J. GILBERT1, P.J. O'SULLIVAN1, M.P. GRIMSHAW2 et A.E. STATION-BEVAN31 British Telecom Research Laboratories, Martlesham Heath, Ipswich, Great-Britain
2 Dept. of Materials, Imperial College, GB-London SW7 2AZ, Great-Britain
3 Dept. of Materials, Imperia1 College, GB-London SW7 2AZ, Great-Britain
Résumé
Dans les circuits intégrés à transistors métal-semiconducteurs de AsGa, on s'est servi de barrières de diffusion par-dessus les contacts ohmiques alliés Ni-Au-Ge et "non alliés" Pd-Ge. Ceci empêche la diffusion des couches d'interconnexion suivantes et assure la stabilité et la basse resistance (0.05 ohm.mm)des contacts. L'évaluation de ces structures de contact du point de vue électrique ainsi que par AES et par TEM est présentée ici. Les résultats montrent que l'effet de barrière produit des contacts uniformes et faibles et un bon rendement de circuits numériques rapides à intégration à échelle moyenne (MSI)
Abstract
Barrier layers have been used on top of Ni-Au-Ge alloyed and Pd-Ge "non alloyed" ohmic contacts for GaAs MESFET integrated circuits. They prevent diffusion of subsequent interconnection layers and so maintain stable low resistance (0.05ohm.mm) contacts. The assessment of these contact structures, both electrically and using AES and TEM, is presented. The results show that the barrier action is effective in producing uniform and reliable contacts and good yields of MSI high speed digital circuits.