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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-379 - C4-382 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988479 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-379-C4-382
DOI: 10.1051/jphyscol:1988479
HIGH FREQUENCY BASE RESISTANCE AND THE REPRESENTATION OF TWO AND THREE-DIMENSIONAL AC AND DC EMITTER AND BASE CURRENT FLOW OF BIPOLAR TRANSISTORS
F. HÉBERT1, 2 et D.J. ROULSTON11 Electrical Engineering Department, University of Waterloo, Waterloo, Ont. N2L-3G1, Canada
2 Avantek Inc., Advanced Bipolar Products, 39201 Cherry Street, Newark, CA 94560, U.S.A.
Résumé
La résistance de base et l'impédance d'entrée à haute fréquence de transistors bipolaires sont simulées en utilisant une représentation à trois dimensions (3D). On observe que la réduction de la resistance de base ainsi que les courants 3D de transistors non-murés ne peuvent être correctement representées par des circuits équivalents standards. Une représentation parallèle du transistor est proposée pour mieux modeler les transistors non-murés à haute fréquence.
Abstract
The high frequency base resistance, input impedance and current flows of bipolar transistors are simulated using a quasi three-dimensional (3D) representation of the device. It is found that the reduction in base resistance as well as the 3D current flows of non-walled transistors cannot be properly simulated using standard distributed equivalent circuits. A parallel connected equivalent circuit is proposed for improved high frequency modeling of non-walled devices.