| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-383 - C4-386 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988480 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-383-C4-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1988480
Groupe de Microélectronique, Université Rennes I, Campus de Beaulieu, F-35042 Rennes Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-383-C4-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1988480
ELECTRICAL BEHAVIOUR AND MODELLING OF A N-DOPED a-Si : H EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR
O. BONNAUD, A. EL GHARIB et M. SAHNOUNEGroupe de Microélectronique, Université Rennes I, Campus de Beaulieu, F-35042 Rennes Cedex, France
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