INTERFACE STATES PARAMETERS DEDUCED FROM DLTS, ICTS AND CONDUCTANCE METHODS ON TiAu/Si₃N₄/GaInAs MIS STRUCTURES

Résumé
Plusieurs méthodes de caractérisation électrique utilisant les techniques de DLTS, d'ICTS, et de conductance ont été mises au point et associées. En prenant en compte les corrections dues à la variation de la section efficace de capture en fonction de l'énergie, ces méthodes permettent une détermination cohérente des caractéristiques des états d'interface et ont été utilisées sur des structures MIS (TiAu/Si₃N₄/Ga_0.47In_0.53As). L'application à l'optimisation d'un procédé de passivation efficace de l'interface Si₃N₄/CaInAs utilisant un retrait de l'oxyde natif de la surface de GaInAs suivi d'un dépôt de Si₃N₄ par plasma multipolaire en ambiance ultra vide a permis la réalisation de transistors MISFET sur GaInAs possédant de bonnes performances.

Abstract
A set of electrical characterization methods has been developed using DLTS, ICTS and Conductance techniques. Taking into account corrections due to the variation of capture cross section versus energy, this method allows for a coherent determination of interface states parameters and has been used on TiAu/Si₃N₄/Ga_0.47In_0.53As MIS structures. It has been applied to perform an efficient passivation process of the Si₃N₄/GaInAs interface consisting in an in situ native oxide removal and Si₃N₄ deposition by multipolar plasmas in a ultra high vacuum system. GaInAs MISFETs with good performances could be achieved using such an optimized process.