| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-223 - C4-226 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988446 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-223-C4-226
DOI: 10.1051/jphyscol:1988446
ION IMPLANTED InP MISFET's WITH LOW DRAIN CURRENT DRIFT
G. POST, P. DIMITRIOU, A. FALCOU, N. DUHAMEL et G. MERMANTCNET, Laboratoire de Bagneux, 196, Av. Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Des transistors à effet de champ M.I.S. sur phosphure d'indium semi-isolant ont été élaborés. Les contacts et le canal sont dopés par implantation de silicium. Le diélectrique de grille est SiO2 déposé par activation ultraviolette. Les dispositifs à désertion à canal de 2 microns ont une dérive du courant de saturation inférieure à 10 p. cent en 24 heures. Ils sont compatibles avec une technologie de lasers pour l'intégration opto-électronique.
Abstract
MIS field effect transistors on semi-insulating indium phosphide have been fabricated. The contacts and the channel are doped by silicon implantation. The gate dielectric is SiO2 deposited under UV activation. Depletion-mode devices with a 2-micron channel length have a saturation current drift less than 10 per cent in 24 hours. They are compatible with a laser technology for integrated opto-electronics.