ELECTRICAL PERFORMANCES COMPARISON OF SEMI AND FULLY RECESSED ISOLATION STRUCTURES

E. DUBOIS; J.-L. COPPEE; B. BACCUS; D. COLLARD

doi:doi:10.1051/jphyscol:19884171

Numéro		J. Phys. Colloques Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988 ESSDERC 88 18th European Solid State Device Research Conference


Page(s)		C4-813 - C4-816
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884171

ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-813-C4-816
DOI: 10.1051/jphyscol:19884171

ELECTRICAL PERFORMANCES COMPARISON OF SEMI AND FULLY RECESSED ISOLATION STRUCTURES

E. DUBOIS¹, J.-L. COPPEE², B. BACCUS¹ et D. COLLARD¹

¹ ISEN, Institut Supérieur d'Electronique du Nord, CNRS-LA 253, 41, Bd Vauban, F-59046 Lille Cedex, France
² Université Catholique de Louvain, Laboratoire de Microélectronique, Place du Levant 3, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium

Résumé
Les caractéristiques de structures d'isolation LOCOS semi-enterré et LOCOS enterré ont été analysées. En particuliers. les simulations bidimensionnelles couplées de technologie et de dispositif, réalisées avec le logiciel IMPACT, ont démontré l'influence de l'interface Si/SiO₂ sur les performances d'isolation. Un excellent accord simulation-expérimentation a été trouvé pour les structures étudiées.

Abstract
Electrical characteristics of semi-recessed and fully-recessed LOCOS isolation techniques are analyzed. Two-dimensionnal process/device simulations, performed with the IMPACT package, have demonstrated the effect of the Si/SiO₂ interface shape on isolation efficiency. An excellent agreement has been found between simulations and measurements for the studied structures.