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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-749 - C4-752 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884156 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-749-C4-752
DOI: 10.1051/jphyscol:19884156
NARROW CHANNEL EFFECT ON n- AND p-CHANNEL DEVICES FABRICATED WITH THE SILO AND BOX ISOLATION TECHNIQUES
J. L. COPPEE1, E. FIGUERAS2, B. GOFFIN1, D. GLOESENER1 et F. VAN DE WIELE11 Université Catholique de Louvain, Laboratoire de Microélectronique, Place du Levant 3, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium
2 Centro Nacional de Microelectrónica, CSIC-UAB, Universitat Autònoma de Barcelona, SP-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain
Résumé
Nous avons étudié l'effet canal étroit sur des dispositifs actifs fabriqués avec les techniques d'isolation SILO et BOX. L'importance de la diffusion latérale du bore dans la zone active est démontré, ainsi que l'avantage de la technique BOX, qui utilise un oxide déposé au lieu d'un oxide thermique dans le procédé SILO. En utilisant une dose d'implantation faible pour réduire l'effet canal étroit, un effet de double tension de seuil dans la caractéristique en faible inversion est inévitable.
Abstract
We have studied the narrow channel effect (NCE) on active devices fabricated with the SILO and BOX isolation techniques. The importance of the boron encroachment in the active region is shown, as well as the advantage of the BOX technique which uses a deposited oxide instead of a thermal oxide in the SILO process. With a low field implantation dose used to reduce the NCE, a double threshold effect in the subthreshold characteristic is inevitable.