| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-75 - C4-78 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988415 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-75-C4-78
DOI: 10.1051/jphyscol:1988415
HIGHER EFFICIENCY OF CMOS-PROCESS-COMPATIBLE PHOTODIODES IN SOI-TECHNIQUE BY REFLECTING FILMS
K. KNOSPE et K. GOSERBauelemente der Elektrotechnik, Universität Dortmund, D-4600 Dortmund, F.R.G.
Résumé
Une tension de plusieurs volts était réalisée sur circuit intégré par intégration de photodiodes en couches de silicium polycristalin en technique SOI. Pour accroire le rendement quantique une couche appropriée était déposée au joint Si - poly-Si. Cette couche ne pose aucune restriction pour les étapes suivantes et les traitements thermiques. Une comparaison des rendements quantiques mesurés avec les valeurs théoriques a été faite.
Abstract
A voltage of several volts was achieved on chip by integration of photodiodes in polycristalline silicon layers in SOI-technique. For increased quantum efficiency suitable layers were deposited at the Si - poly-Si boundary. These layers caused no restrictions for successing process steps and temperature treatments. A comparison of measured quantum efficiencies with theoretical values has been made.