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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-71 - C4-74 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988414 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-71-C4-74
DOI: 10.1051/jphyscol:1988414
SILICON SELECTIVE AND LATERAL OVERGROWTH EPITAXY : GROWTH AND ELECTRICAL EVALUATION FOR DEVICES
J. FRIEDRICH1, G.W. NEUDECK1 et S.T. LIU21 School of Electrical Engineering, Purdue university, West Lafayette, IN 47906, U.S.A.
2 Honeywell SSED, Plymouth, MN 55441, U.S.A.
Résumé
La croissance épitaxiale sélective du silicium monocristallin ainsi que la surcroissance épitaxiale latérale sont devenus des étapes importantes pour les technologies de traitement avancées. Les problèmes associés à ces étapes, tels que l'uniformité du dépôt, la qualité de la matière et la détérioration de l'oxyde masqueur ont été recherchés. Des éléments ont été construits pour évaluer la matière formée épitaxiallement en fonction de son adéquation pour la fabrication des circuits électroniques. Les résultats procurent des critères fondamentaux qui peuvent être utilisés dans n'importe quel type de réacteur pour atteindre une épitaxie sélective de qualité.
Abstract
Selective epitaxial growth of monocrystalline silicon and epitaxial lateral overgrowth have emerged as important processing steps for advanced processing technologies. The problems associated with these steps, such as deposition non-uniformity, material quality, and masking oxide deterioration have been investigated. Devices have been built to evaluate the epitaxially grown material with respect to its suitability for circuit fabrication. The results give fundamental criteria that can be used in any kind of reactor system to achieve good quality selective epitaxy.