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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-67 - C4-70 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988413 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-67-C4-70
DOI: 10.1051/jphyscol:1988413
THEORETICAL ANALYSIS OF THE TWO-TERMINAL MOS CAPACITOR ON SOI SUBSTRATE
P. PAELINCK, D. FLANDRE, A. TERAO et F. VAN de WIELELaboratoire de Microélectronique, Université Catholique de Louvain, Place du Levant 3, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium
Résumé
Des modélisations analytiques et numériques de la capacité métal-oxyde-semiconducteur sont proposées pour les substrats sur isolant comportant un film flottant. Le traitement théorique repose sur des considérations physiques et met en évidence l'influence de la distribution des diverses charges à l'intérieur de la structure globale. Les caractéristiques capacité-tension sont directement interprétables à partir des mécanismes physiques internes du dispositif.
Abstract
The present paper deals with the analytical and numerical study of MOS capacitors on SOI substrates. The major concern is the theoretical treatment of such devices with floating substrate. Special care has been taken to keep the mathematical modeling consistent with physical considerations. The importance and the role of the underlying silicon substrate have been highlighted. The different operating conditions of the capacitance-voltage characteristic have been interpreted in terms of device intrinsic physical mechanisms.