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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-541 - C4-544 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884113 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-541-C4-544
DOI: 10.1051/jphyscol:19884113
A NOVEL BOROSILICATE GLASS (SiOB-BSG) BY LOW PRESSURE DECOMPOSITION OF A MONOMOLECULAR LIQUID PRECURSOR
H. TREICHEL1, F.S. BECKER1, D. FUCHS1 et T. KRUCK21 Siemens AG, Otto-Hahn-Ring 6, D-8000 München 83, F.R.G.
2 Inst. f . Inorganic Chem., University of Cologne, Greinstr. 6, D-5000 Köln, F.R.G.
Résumé
Couches minces de BSG avec du composition constante (ca. 4.7 wt% B) sont préparés en LPCVD, la source était Tris (trimethylsiloxy)boron B[OSi(CH3)3]3 une molécule se compose de bore et de silicium. Les conditions optimales pour le dépôt sont 800 °C, 105 Pa (800 mTorr) et l'addition de 280 sccm O2. Les couches sont stable exposées à l'air atmospheric, la couverture d'arêtes aiguëes est excellente et la vitesse d'une corrosion humide est très lente. Il est prouvé qu'ils sont des sources dotant effectifs dans une zone de 800 °C à 1000 °C.
Abstract
BSG with constant composition (ca. 4.7 wt% B) was deposited using Tris(trimethylsiloxy)boron B[OSi(CH3)3]3 in a standard LPCVD system. The optimum deposition conditions are 800 °C, 105 Pa (800 mTorr) and 280 sccm O2 purge. The films are chemically stable in atmosphere and exhibit good step coverage and low wet-etch rates. They are effective dopant sources in the 800-1000 °C range.