| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-499 - C4-502 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884103 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-499-C4-502
DOI: 10.1051/jphyscol:19884103
1 Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides, CNRS. BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France
2 Laboratoire de Cristallographie, CNRS, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France
3 Département Physique des Matériaux, Université Claude Bernard - Lyon 1, Boulevard du 11 Novembre 1918, F-69621 Villeurbanne Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-499-C4-502
DOI: 10.1051/jphyscol:19884103
CONDUCTING DIFFUSION BARRIER : FORMATION AND CHARACTERISATION OF WN OBTAINED BY THERMAL ANNEALING UNDER NH3 OF W FILMS DEPOSITED ON Si
A. DENEUVILLE1, M. BENYAHYA1, M. BRUNEL2 et B. CANUT31 Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides, CNRS. BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France
2 Laboratoire de Cristallographie, CNRS, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France
3 Département Physique des Matériaux, Université Claude Bernard - Lyon 1, Boulevard du 11 Novembre 1918, F-69621 Villeurbanne Cedex, France
Résumé
- A partir de la RBS et de la diffraction X, nous montrons qu'au dessus d'une épaisseur critique de W (inférieure à 2000 Å), WSi2 couvert par γ WN peut être formé par recuit sous NH3 au dessus de 800° C de films de W déposés sur C-Si. La résistivité du γ WN est ~ 100µΩ-cm.
Abstract
- From Rutherford Backscattenng and X-ray diffraction we show that above a critical W thickness (< 2000 Å), WSi2 covered by γ WN can be formed by annealing under NH3 of W films deposited on C-Si. Its resistivity is ~ 100µΩ-cm.