Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-267 - C5-270
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987557
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-267-C5-270

DOI: 10.1051/jphyscol:1987557

ULTRAFAST RECOVERY OF ABSORPTION SATURATION IN GaAs / AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS

D. HULIN1, M. JOFFRE1, A. MIGUS2, J. L . OUDAR3, J . DUBARD3 et F. ALEXANDRE3

1  Also at groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, T-23, 2, Place Jussieu, F-75230 Paris Cedex 05, France
2  Laboratoire d'Optique Appliquée, ENSTA, Ecole Polytechnique, F-91120 Palaiseau, France
3  Centre National d'Etudes des Télécommunications, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France


Résumé
La saturation de l'absorption bande à bande produite par une forte densité de porteurs photocréés disparaît rapidement, en une dizaine de picosecondes, dans les structures à puits quantiques multiples à basse température. Ce raccourcissement de la durée de vie des porteurs est dû à l'émission stimulée le long des couches excitées. Les expériences de luminescence confirment cette interprétation.


Abstract
Band to band absorption in multiple quantum well structures at low temperature recovers in tens of picoseconds after its saturation by a large density of photoexcited carriers. Amplification of the spontaneous emission along the excited layers is at the origin of this short lifetime. Luminescence experiments confirm this interpretation.