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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-511 - C5-515 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875109 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-511-C5-515
DOI: 10.1051/jphyscol:19875109
FEMTOSECOND SPECTRAL HOLE-BURNING IN GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS
J.L. OUDAR1, J. DUBARD2, F. ALEXANDRE1, D. HULIN3, A. MIGUS3 et A. ANTONETTI31 Centre National d'Etudes des Télécommunications, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
2 Department of Physics, North Texas State University, Denton, TX 76203, U.S.A.
3 Laboratoire d'Optique Appliquée, Ecole Polytechnique, ENSTA, F-91120 Palaiseau, France
Résumé
La saturation sélective des états couplés optiquement (trou spectral 7 a été observée en régime femtoseconde dans une structure à puits quantiques multiples de GaAs/AlGaAs. La comparaison avec des résultats antérieurs obtenus sur le GaAs massif dans les mêmes conditions d'excitation montre que les collisions entre porteurs sont environ deux fois plus efficaces dans la structure à puits quantiques, en raison de la réduction des effets d'écran à deux dimensions, ainsi que de l'augmentation de la renormalisation de bande interdite par rapport au matériau massif.
Abstract
The dynamical spectral-hole-burning effect, due to selective saturation of the optically coupled states, has been observed in the femto-second regime in a GaAs/AlGaAs multiple quantum well structure. Comparison with previous results on bulk GaAs under similar excitation conditions shows that carrier-carrier collisions are about twice as efficient in the quantum wells, due to the reduction of screening efficiency in two-dimensional structures, as well as the increase of band-gap renormalization with respect to the bulk material.