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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-263 - C5-266 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987556 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-263-C5-266
DOI: 10.1051/jphyscol:1987556
ENERGY LOSS MECHANISM FOR HOT ELECTRONS IN GaAs
D. NEILSON1, J. SZYMANSKI2 et DE-XIN LU31 School of Physics, University of New South Wales, P.O. Box 1, Kensington NSW 2033, Australia
2 Telecom Australia Research Laboratories, 770 Blackburn Road, Clayton Vic. 3168, Australia
3 Physics Department, Nanjing University, China
Résumé
Nous avons étudié systématiquement le mécanisme de la perte d'énergie des électrons chauds injectés dans une couche mince dopée de GaAs. Les énergies incidentes sont gardées en dessous du seuil de diffusion entre-val. On trouve que pour les densités de porteurs typiques de celles utilisées dans les appareils de GaAs, les pertes d'énergie sont dominées par les processus d'excitations semblables pure électrons.
Abstract
We have systematically investigated the energy loss mechanisms for hot electrons injected into a thin doped GaAs layer. Incident energies are kept below the threshold for intervalley scattering. We find for carrier densities typical of those used in many GaAs devices, the energy losses are dominated by pure electron- like excitation processes.