Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-187 - C5-190
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987537
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-187-C5-190

DOI: 10.1051/jphyscol:1987537

VERY LARGE PHOTOVOLTAIC EFFECTS IN MODULATION-DOPED HETEROSTRUCTURES

M.-H. MEYNADIER, N. TABATABAIE, R.E. NAHORY et J.P. HARBISON

Bell Communications Research, Red Bank, NJ 07701-7020, U.S.A.


Résumé
Nous avons mis en evidence l'existence d'un effet photovoltaique dans les heterojonctions a dopage module de faible densite bidimensionelle. Des photovoltages lateraux de l'ordre de la centaine de millivolts apparaissent entre deux contacts ohmiques distants d'environ 1 cm lorsqu'un faisceau laser de quelques microwatts est focalise sur la surface de l'echantillon. L'effet est attribue a la separation des porteurs dans la region de l'heterojonction. L'intensite du photovoltage depend fortement de la position du spot laser par rapport aux contacts, et sature pour les larges puissances d'excitation, ce qui rend cet effet directement utilisable pour un dispositif optoelectronique.


Abstract
We report the observation of large in-plane photovoltages in low electron density modulation doped heterostructures. Local optical excitations of the order of microwatts are found to produce lateral photovoltages as high as several hundred millivolts between contacts centimeters away from the exciting spot. The effect is attributed to the vertical photovoltage locally induced by the separation of the photocreated electrons and holes. Its strong position dependence as well as its saturability are shown to be attractive for technological applications.