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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-183 - C5-186 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987536 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-183-C5-186
DOI: 10.1051/jphyscol:1987536
1 Groupe de Physique de Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, U.S.A.
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-183-C5-186
DOI: 10.1051/jphyscol:1987536
EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS OF THE QUANTUM PHOTOVOLTAIC EFFECT IN InAs-GaSb SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
J. BLEUSE1, P. VOISIN1, M. VOOS1, L.L. CHANG2 et L. ESAKI21 Groupe de Physique de Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, U.S.A.
Résumé
Nous rendons compte de l'observation d'un effet photovoltaïque d'origine quantique dans des superréseaux semiconducteurs InAs-GaSb. Les résultats sont conformes aux prédictions théoriques, à l'exception du signe de l'effet qui met en évidence une dépopulation de la couche de surface.
Abstract
We report the observation of the quantum photovoltaic effect in InAs-GaSb semiconductor superlattices. The results are consistent with the theoretical predictions, except for the voltage sign which evidences a depopulation of the surface layer.