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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-191 - C5-194 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987538 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-191-C5-194
DOI: 10.1051/jphyscol:1987538
University of Sheffield, Department of Physics, GB-Sheffield S3 7RH, Great-Britain
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-191-C5-194
DOI: 10.1051/jphyscol:1987538
OPTICAL STUDIES IN a-Si : H/a-SiNx : H SUPERLATTICES
S. KALEMUniversity of Sheffield, Department of Physics, GB-Sheffield S3 7RH, Great-Britain
Résumé
Propriétés optiques des superréseaux de a-Si : H
/a-SiNx : H ont été étudiées en fonction d'épaisseur par la spectroscopie de la déflection photothermique et photoluminescence. Nous suggérons contamination, plutôt que des effets quantiques peut déterminer les propriétés optiques lorsque l'épaisseur est réduite au dessous de ˜ 30 Å.
Abstract
Optical properties of a-Si : H/a-SiNx : H superlattices have been investigated as a function of sublayer thickness by photothermal deflection spectroscopy and photoluminescence measurements. We suggest contamination, rather than quantum confinement effects, may determine optical properties when sublayer thickness is reduced below ˜ 30 Å.