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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-87 - C10-90 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831018 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-87-C10-90
DOI: 10.1051/jphyscol:19831018
International Business Machines, Sindelfingen, F.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-87-C10-90
DOI: 10.1051/jphyscol:19831018
INFRARED ELLIPSOMETRY - A NEW TECHNIQUE FOR CHARACTERIZATION OF DOPANT PARAMETERS IN SILICON
R.R. SchaeferInternational Business Machines, Sindelfingen, F.R.G.
Résumé
Un ellipsomètre infrarouge (λ = 10,591 um) est décrit. Ses applications pour caractériser des couches implantées d'ions As dans le silicium sont discutées en détail.
Abstract
An infrared ellipsometer operating at a wavelength emitted by a CO2-laser (λ = 10.591 um) is described. Its application as an accurate, nondestructive method for characterization of shallow ion implanted layers in silicon wafers is discussed.