Issue
J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-87 - C10-90
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831018
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-87-C10-90

DOI: 10.1051/jphyscol:19831018

INFRARED ELLIPSOMETRY - A NEW TECHNIQUE FOR CHARACTERIZATION OF DOPANT PARAMETERS IN SILICON

R.R. Schaefer

International Business Machines, Sindelfingen, F.R.G.


Résumé
Un ellipsomètre infrarouge (λ = 10,591 um) est décrit. Ses applications pour caractériser des couches implantées d'ions As dans le silicium sont discutées en détail.


Abstract
An infrared ellipsometer operating at a wavelength emitted by a CO2-laser (λ = 10.591 um) is described. Its application as an accurate, nondestructive method for characterization of shallow ion implanted layers in silicon wafers is discussed.