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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-389 - C5-400 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983557 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-389-C5-400
DOI: 10.1051/jphyscol:1983557
ANWENDUNG DES LASERAUSHEILENS FÜR HALBLEITERBAUELEMENTE
H. Ryssel et J. GötzlichFraunhofer-Institut für Festkörpertechnologie, Paul-Gerhardt-Allee 42, 8000 München 60, F.R.G.
Résumé
Dans cet aperçu le recuit laser sera discuté à l'égard des deux applications les plus prometteuses : le recuit des couches implantées et la cristallisation des couches de Si polycristallins déposées sur substrat isolant. Les avantages et les désavantages des divers types de laser (à impulsions et continu) seront examinés en ce qui concerne la redistribution des impuretés et la qualité cristalline. Par ailleurs, des composants récemment réalisés et leurs propriétés seront presentés.
Abstract
In this review, device aspects of laser annealing will be discussed for the two most promising applications : the annealing of ion-implanted dopant distributions and crystallization of deposited polycrystalline silicon layers on insulators. The advantages and disadvantages of the different types of lasers (pulsed and cw operation) in respect to dopant redistribution and crystalline quality will be described. Finally, examples of recently realized devices and their performance be given.