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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-381 - C5-385 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983556 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-381-C5-385
DOI: 10.1051/jphyscol:1983556
INCOHERENT-LIGHT ANNEALING OF PHOSPHORUS IMPLANTED SILICON, WITH SOLAR CELL PRODUCTION IN VIEW
L.D. Nielsen1, A.N. Larsen2 et V.E. Borisenko2, 31 Physics Laboratory III, Technical University of Denmark, DK-2800 Lyngby, Denmark
2 Institute of Physics, University of Aarhus, DK-8000 Aarhus C, Denmark
3 Minsk Radioengineering Institute, P. Browka 6, 220069 Minsk, USSR
Résumé
Des illuminations de courte durée d'une lampe à xenon ont été utilisées pour supprimer le domage dû à l'implantation ionique dans du silicium monocristallin d'orientation <100> et polycristallin implanté avec du phosphore. L'influence des paramètres d'implantation (18-39 kev, 1015-1016 ions/cm2) et de recuit (950-1100°C pour 10 sec) sur la qualité du silicium dopé a été étudiée par des mesures de résistance superficielle et par canalisation. Cellules solaires réalisées à partir des échantillons implantées et recuits des deux matériaux ont été caractérisées par leurs réponses spectrales et leurs caractéristiques courant-tension en lumière AM1. Les paramètres optimaux de réalisation des cellules sont discutées.
Abstract
Short-duration incoherent xenon light exposure has been used to remove the ion implantation damage in phosphorus implanted <100> single crystal and polycrystalline silicon. The influence of implantation parameters (18-39 keV, 1015-1016 ions/cm2) and annealing parameters (950-1000°C for 10 sec) on the quality of the doped layers has been investigated by measurements of sheet resistivity and by ion channeling experiments. Solar cells made from implanted and annealed samples of both materials have been characterized by spectral response measurements and recording of AM1 current-voltage characteristics. Optimal process parameters are discussed.