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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-401 - C5-408 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983558 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-401-C5-408
DOI: 10.1051/jphyscol:1983558
1 RTC la Radiotechnique Compelec, BP 6025, 14001 Caen, France
2 Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique des Solides, LA 251, Université de Caen, 14032 Caen, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-401-C5-408
DOI: 10.1051/jphyscol:1983558
PROPRIÉTÉS DES JONCTIONS p/n DANS LE SILICIUM OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT RAPIDE
M.C. Boissy1, P. Ruterana2 et G. Nouet21 RTC la Radiotechnique Compelec, BP 6025, 14001 Caen, France
2 Laboratoire de Cristallographie, Chimie et Physique des Solides, LA 251, Université de Caen, 14032 Caen, France
Résumé
Quatre techniques de recuit rapide par faisceau d'énergie ont été évaluées de façon comparative du point de vue de leur application à la recristallisation de couches implantées dans le silicium monocristallin : - le recuit par faisceau laser YAG pulsé (0,53 µm - 100 ms). - le recuit par faisceau laser continu (0,48 à 0,52 µm - 1 ms). - le recuit isotherme rapide par rayonnement infrarouge (1100°C - 10 s). - le recuit par lampe (1100°C - 10 s).