ON SOME ASPECTS OF THE MOBILITY OF DISLOCATIONS IN SLIGHTLY n-DOPED InSb SINGLE CRYSTALS

Résumé
La technique de topographie aux rayons X est utilisée pour étudier les configurations de dislocations développées sous contrainte dans des éprouvettes d'InSb faiblement dopées de type n. Les résultats confirment la vitesse beaucoup plus grande des dislocations α par rapport aux dislocations vis. Par contre, les dislocations β sont excessivement peu mobiles, apparemment à toute contrainte et à toute température. Ceci a pour conséquence : 1) d'affecter la mobilité des dislocations vis dont le mouvement semble contrôlé par la propagation de crans simples α. 2) de bloquer le fonctionnement de sources internes efficaces, sauf près des surfaces. Ceci conduit à une plasticité qui semble très spécifique aux composés III-V.

Abstract
X-Ray Lang topography is used to investigate the dislocation substructure developped under stress in slightly n-doped InSb samples. Results confirm the much higher velocity of α-dislocations compared to screws. On the other hand, β-dislocations are excessively little mobile, apparently at all stress and temperature. This has for consequence : 1) to affect the mobility of screw dislocations whose motion looks to be controlled by the propagation of single α-kinks. 2) to prevent the development of efficient internal sources, except near surfaces. This behaviour induces a plasticity which appears to be very specific to III-V compounds.