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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-465 - C4-468 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983455 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-465-C4-468
DOI: 10.1051/jphyscol:1983455
1 Laboratoire de Microscopie Electronique, U. S. T. L., 34060 Montpellier Cedex, France
2 C.N.E.T. PMS/SPD,196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-465-C4-468
DOI: 10.1051/jphyscol:1983455
SOME EXAMPLES OF QUANTITATIVE E.B.I.C. MODE FOR THE STUDY OF THE ELECTRICAL PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICES
J.F. Bresse1, 21 Laboratoire de Microscopie Electronique, U. S. T. L., 34060 Montpellier Cedex, France
2 C.N.E.T. PMS/SPD,196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Une mesure simultanée des longueurs de diffusion et de la durée de vie des porteurs minoritaires permet d'étudier l'influence de la présence d'un réseau de dislocation ou de joints de grains sur ces deux paramètres importants d'un dispositif.
Abstract
A simultaneous measurement of the diffusion length and the life-time of minority carriers allows the study of the influence of the presence of a dislocation network or grain boundaries on these two important parameters of semi conductor devices.