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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-353 - C4-357 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983442 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-353-C4-357
DOI: 10.1051/jphyscol:1983442
CREATION OF AsGa DEFECTS BY PLASTIC DEFORMATION OF GaAs CRYSTALS
T. Figielski, T. Wosiski et A. MorawskiInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32, 02-668 Warsaw, Poland
Résumé
Les différents réultats concernant la création et les propriétés des défauts "antisite" arsenic dans les cristaux GaAs plastiquement déformés sont présentés. Les défauts AsGa sont identifiés comme les pièges à électrons dominants (EL2). Deux mécanismes différents de leur formation pendant le mouvement des dislocations sont discutés. On mentionne le rôle possible des défauts AsGa dans le fonctionnement des éléments optoélectroniques.
Abstract
Various results concerning the creation and properties of arsenic antisite defects in plastically deformed GaAs crystals are compiled. The AsGa defects are identified as the dominant electron traps (EL2). Two different mechanisms of their creation during the dislocation motion are discussed. A possible role of AsGa defects in optoelectronic device operation is mentioned.