INFLUENCE DU PROCESSUS D'ELABORATION SUR LES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES DANS LES COUCHES DE GaAs EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES

Résumé
Nous présentons une étude sur Les défauts cristallographiques présents dans les couches d'AsGa épitaxiées par la technique des jets moléculaires. La principale technique de caractérisation utilisée est l'attaque chimique sélective, assistée de techniques complémentaires telles que microscopie électronique à transmission et microsonde électronique. Cette étude a été réalisée en vue de mettre en évidence l'effet des dégâts mécaniques, de la contamination et des défauts liés aux impuretés sur la présence de dislocations, de fautes d'empilement et de défauts macroscopiques affectant la morphologie de surface de la couche. En effet pour chaque défaut considéré, une étude est faite pour clarifier son origine et l'influence du choix du substrat, de sa préparation et des conditions de croissance, est prise en compte. Cela est réalisé par le biais d'épitaxies simultanées réalisées sur substrats différents et de l'analyse d'un grand nombre de couches. Enfin, sur la base des tendances observées, des moyens pour réduire la densité des défauts sont proposés.

Abstract
A study of crystallographic defects in MBE GaAs Layers is presented. The main technique used for this purpose was selective chemical etching assisted by others techniques such as transmission electron microscopy and electron microprobe when necessary. This study has been done in order to show the effect of mechanical damages, contamination and impurity related defects on the presence of dislocations, stacking faults and macroscopic defects affecting the surface morphology of the layer. For each defect considered, an attempt is made to clarify its origin and the influence of substrate choice, substrate preparation and growth conditions is taken into account. This is done in the light of the experimental results obtained on a large number of layers and on some particular results obtained by simultaneous epitaxy on different substrates. Finally, on the basis of the trends observed, means for defect density reduction are proposed.