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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-473 - C5-479 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982557 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-473-C5-479
DOI: 10.1051/jphyscol:1982557
ELABORATION DE COUCHES EPITAXIEES DE SILICIUM PAR PULVERISATION IONIQUE
C. Schwebel, F. Meyer et G. GautherinI. E. F., Bâtiment 220, Université Paris-Sud, Orsay, France
Résumé
Des homoépitaxies de silicium ont été réalisées par pulvérisation ionique, à une température relativement basse. Les principaux résultats de cette étude sont : une vitesse de croissance proportionnelle au courant d'ions, un bon transfert du dopant entre la cible et le substrat, une faible rugosité des couches. Les conditions de croissance ont été définies de façon à obtenir, pour des couches minces (W ≈ 5000 Å) des qualités cristalline et électrique comparables à celles du silicium massif.
Abstract
Silicon homoepitaxial - layers have been deposited by ion beam sputtering, at relatively low substrate temperatures. The main results of this study are : growth rate proportionnal to the ion beam current, efficient doping element transfer from the target to the substrate, good layer smoothness. Growth conditions have been defined at which thin epitaxial layers (W ≈ 5000 Å) have crystallographic and electrical properties comparable to those of bulk silicon.