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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-377 - C5-382 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982542 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-377-C5-382
DOI: 10.1051/jphyscol:1982542
OPTIMISATION OF Sn DOPING IN GaAls/ GaAs DH LASERS GROWN BY MBE
J.F. Stagg1, P.J. Hulyer1, C.T. Foxon1 et D. Ashenford21 Philips Research Laboratories, Redhill, Surrey, England
2 Department of Physics, Imperial College, Prince Consort Road, London SW7 2BZ, England
Résumé
Des profils électrochimiques combinés avec des mesures de phototensions in-situ ont été utilisés pour déterminer d'une manière précise la position des jonctions p-n dans les structures laser élaborées par EJM. Les problèmes associés à l'accumulation de Sn durant la croissance de GaAs et de GaAlAs ont été explorés et une méthode simple a été suggérée pour éviter que les jonctions p-n soient mal positionnées.
Abstract
Electrochemical profiling combined with in-situ photovoltage measurements have been used to determine precisely the position of p-n junctions in laser structures grown by MBE. Problems associated with Sn accumulation during the growth of GaAs and GaAlAs have been explored and a simple method has been suggested of avoiding misplaced p-n junctions.