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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-327 - C1-339 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982144 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-327-C1-339
DOI: 10.1051/jphyscol:1982144
THIN FILMS OF III-V COMPOUNDS AND THEIR APPLICATIONS
J.C.C. FanLincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, Massachusetts 02173, U.S.A.
Résumé
Les films minces de composés III-V ont de nombreuses applications potentielles comprenant les cellules solaires, les dispositifs à microondes et les circuits intégrés. Cet article est une revue des techniques qui ont été développées pour la préparation de film de composés III-V monocristallins et polycristallins. Un modèle d'ancrage du niveau de Fermi est introduit pour expliquer les propriétés des joints de grains et autres défauts présents dans ces films. On montre l'efficacité de différentes méthodes de passivation des effets des joints de grains.
Abstract
Thin films of III-V compounds have many potential applications, including solar cells, microwave devices and integrated circuits. This paper will review the techniques that have been developed for preparing single-crystalline and polycrystalline III-V films. A Fermi-level pinning model is introduced to explain the properties of grain boundaries and other defects in these films. Various methods of passivating the effects of the grain boundaries have been proven to be successful.