ORGANOMETALLIC EPITAXIAL GROWTH OF GaAs_1-xP_x

Résumé
Nous présentons la croissance de GaAS_1-xP_x utilisant (CH₃) ₃Ga, AsH₃ et PH₃. La qualité des couches épitaxiales est évaluée à partir d'analyses en microscopie électronique à balayage et de caractérisation optique. Une étude systématique des variations de taux d'incorporation des éléments V (As et P) a été menée. A partir d'un modèle simple d'incorporation, une énergie d'activation E_A ≈ 1 eV est déduite du rapport P/As dans le solide. Ce résultat est discuté sur la base de réactions dans la phase vapeur et de processus adsorption/désorption à l'interface vapeur-solide.

Abstract
Successful epitaxial growth of GaAs_1-xP_x using (CH₃) ₃Ga, AsH₃ and PH₃ is reported. The epitaxial Layer quality is evaluated from SEM analysis and from optical data. A systematic study of variations in the incorporation rates of the group V atoms (As and P) with growth parameters is presented. From a simple model for the incorporation, an activation energy E_A≈1.0 eV is deduced for the P/As mixture in the solid. This result is discussed in tenns of vapour phase reactions and adsorption/desorption processes at the vapour-solid interface.