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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-39 - C5-46 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982506 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-39-C5-46
DOI: 10.1051/jphyscol:1982506
THE EFFECT OF Ge ON THE LIQUIDUS AND SOLIDUS IN THE SYSTEM AlGaAs : Ge
D. Dutartre1, M. Gavand1, L. Mayet1, A. Laugier1 et I. Ansara21 Laboratoire de Physique de la Matière (ERA 544), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, Avenue Albert Einstein, 69621, Villeurbanne Cedex, France
2 Laboratoire de Thermodynamique & Physico-Chimie Métallurgiques, E.N.S.E.E.G. Domaine Universitaire, 38401 St Martin d'Hères, France
Résumé
Des mesures expérimentales et les calculs du système Al-Ga-As-Ge dans le domaine de l'EPL sont présentés. Dans la phase liquide, la présence de Ge diminue la solubilité d'As à une concentration d'Al donnée et semble réduire quelque peu le coefficient de partage d'Al. Les calculs théoriques sont faits en respectant les données thermodynamiques disponibles et prédisent correctement le diagramme de phase Al-Ga-As-Ge dans le domaine étudié.
Abstract
Experimental and estimated phase diagram data for the Al-Ga-As-Ge system in LPE domain are presented. At a given Al concentration in the liquid phase, the As solubility decreases slightly and the distribution coefficient for Al decreases when Ge is added. Theoretical calculations are carried out using experimental thermodynamic data and they predict correctly the Al-Ga-As-Ge phase diagram in the domain of this investigation.